Оперативная память DDR3 4Gb Samsung 1333МГц 10600МБ/с. FLFF65F-C8KL9 CL: 9 240-контактный 1,5В чипов 8 односторонняя

Оперативная память DDR3 4Gb Samsung 1333МГц 10600МБ/с. FLFF65F-C8KL9 CL: 9 240-контактный 1,5В чипов 8 односторонняя

Тип памяти: DDR3.
Форм-фактор: DIMM, 240-контактный.
Тактовая частота: 1333 МГц.
Пропускная способность: 10600 МБ/с.
Объём одного модуля: 4 ГБ.
Поддержка ECC: нет.
Поддержка XMP: нет.
Буферизованная (Registered): нет.
Низкопрофильная (Low Profile): нет.
CAS Latency (CL): 9.
RAS to CAS Delay (tRCD): 9.
Row Precharge Delay (tRP): 9.
Количество чипов каждого модуля: 8, односторонняя упаковка.
Напряжение питания: 1,5 В.